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因此的插入式产品,其壳架电流限制在大为400A。从而节省了维修和更换时间。插入式断路器在时应检查断路器的插头是否压紧,并应将断路器安全紧固,以减少接触电阻,提高可靠性。3、抽屉式接线:断路器的进出抽屉是由摇杆顺时针或逆时针转动的,在主回路和二次回路中均采用了插入式结构,省略了固定式所必须的隔离器,到一机二用,提高了使用的经济性,同时给操作与维护带来了很大的方便,增加了安全性、可靠性。特别是抽屉座的主回路触座,可与NT型熔断路器触座通用。工业炉:分为电炉和燃烧炉(狭义的工业炉指燃烧炉)2.主要产品七大类:电阻炉,感应炉,真空炉,电子束炉,热(或熔炼)机组,热辅助设备,燃烧炉三.电阻炉:三大部件:加热器,炉衬,耐构件 1.分为周期式及连续式两大类2.周期式炉的特征:A.炉料同时加入同时取出B.加热时炉料基本不动(特殊情况除外:如滚筒炉,辊底炉)C.工作区内力求温度均匀3.。关电源的工作过程相当容易理解,在线性电源中,让率晶体管工作在线性模式,与线性电源不同的是,PWM关电源是让率晶体管工作在导通和关断的状态,在这两种状态中,加在率晶体管上的伏-安乘积是很小的(在导通时,电压低,电流大,关断时,电压高,电流小)/率器件上的伏安乘积是率半导体器件上所产生的损耗。
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Al2O3在高温、低真空条件下挥发,形成蒸汽,由于锅盖处的温度较低,Al2O3蒸汽发生凝结,形成Al2O3晶体。锅盖处的挥发物的主要成分是Al2O3,由于导热系数较低,直接导致锅盖处的导热能力降低,使得坩埚内的温场控制困难。挥发物在加热棒上部(低温区)沉积,主要成分为MoO3及WO3的混合物。由于挥发物沉积的主要成分为钨钼,与加热器的组分一致,均为金属良导体。加热棒变粗后,导致加热棒的电阻减少,发热量降低。在同样的生长条件下,需要更大的加热功率,造成能源损耗。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,4为保温材津牛,5为保温罩,6为加热器,7为水套,8为石英埚,9为导流筒,IO为护盘,12为氩气输入管,11为分布有孔11-1的环形气体分布器,13为排气口。技术领域:本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术:图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图,图1-2中,l为炉筒,2为保温盖。名称:直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法3为保温盖直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气从而影响了单晶炉的使用寿命。因此上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大氩气流量为40L/min,因此其氩气消耗量大,生产成本较高。影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入氩气时的充气气压在1.3xi03Pa以上,导致其氩气流量较大,故而氩气消耗量大,生产成本较高。